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La edición alpha300 para Semiconductores es un microscopio confocal Raman y de fotoluminiscencia (PL) de gama alta configurado específicamente para la obtención de imágenes químicas de materiales semiconductores. Ayuda a los investigadores a acelerar la caracterización de la calidad del cristal, la deformación y el dopaje en sus muestras y obleas semiconductoras.
La platina de barrido de largo alcance del microscopio permite inspeccionar obleas de hasta 300 mm (12 pulgadas) y obtener imágenes Raman de gran tamaño. Está equipado con amortiguación de vibraciones y estabilización activa del enfoque para compensar las variaciones topográficas durante las mediciones en grandes áreas o en tiempos de adquisición prolongados. Todos los componentes del microscopio están totalmente automatizados, lo que permite su control remoto y la aplicación de procedimientos de medición estándar.
Las imágenes Raman permiten distinguir polimorfos y caracterizar defectos cristalinos bajo la superficie de la muestra. Esta imagen Raman 3D revela el origen de un defecto en una oblea de 4H-SiC y lo identifica como el polimorfo 3C-SiC. Más información en nuestra nota de aplicación: Raman Correlativo en Imágenes de Semiconductores Compuestos (en inglés)
La supervisión de la calidad de las obleas es de vital importancia para la industria de los semiconductores. Para determinar la homogeneidad del material y revelar zonas de deformación o dopaje no homogéneo, debe investigarse toda la superficie de una oblea.
En este ejemplo, la superficie completa de una oblea de carburo de silicio (SiC) de 150 mm (6 pulgadas) se analizó con microscopía Raman utilizando un láser de 532 nm para la excitación. El análisis mostró que la concentración de dopaje no era homogénea en toda la superficie. El espectrómetro UHTS 600 de alta sensibilidad del microscopio fue capaz de detectar desplazamientos de los picos muy por debajo de 0,01 cm-1 y, por tanto, pudo revelar campos de tensión dentro de la oblea.
Para obtener una imagen Raman nítida de toda la oblea, era crucial mantener activamente enfocada la superficie. TrueSurface registró la topografía de la oblea simultáneamente con los datos Raman y compensó las variaciones de altura.
Más información en nuestra nota de aplicación: Raman Correlativo en Imágenes de Semiconductores Compuestos (en inglés)
Muestra cedida por Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB, Erlangen, Alemania.
Con el fin de satisfacer sus necesidades en su área de aplicación, ofrecemos un conjunto de paquetes de configuración de microscopio para el alpha300 Semiconductor Edition. Tanto si investiga semiconductores compuestos, estructuras a capas, semiconductores de banda ancha o materiales 2D, puede elegir el paquete de configuración que mejor se adapte a su investigación. Nuestros especialistas estarán encantados de informarle sobre el instrumento más adecuado para usted.
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Con el alpha300 Semiconductor Edition, puede realizar mediciones de PL para complementar sus análisis Raman. Esto es particularmente interesante para investigar semiconductores de banda ancha como el SiC o el nitruro de galio (GaN). La longitud de onda de emisión del PL sirve como indicador de las propiedades electrónicas del material, incluido su bandgap.
Esta imagen PL de una oblea de SiC muestra diferencias en las propiedades PL, revelando defectos. Más información en nuestra nota de aplicación: Raman Correlativo en Imágenes de Semiconductores Compuestos (en inglés)
Las imágenes Raman permiten conocer las propiedades subsuperficiales de los materiales semiconductores estratificados. Esta exploración en profundidad de una oblea de SiC sobrecrecida epitaxialmente permite visualizar la distribución de sus diferentes capas.
Muestra cedida por Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB, Erlangen, Alemania.
Los nuevos materiales 2D son cada vez más interesantes por sus inusuales propiedades estructurales, electrónicas y ópticas. Las imágenes Raman correlativas permiten una caracterización exhaustiva de estos materiales de pocas o una sola capa, incluidos el grafeno y la perovskita, así como el disulfuro de molibdeno (MoS2), el diselenuro de tungsteno (WSe2) y otros dicalcogenuros de metales de transición (TMD).
Más información en nuestras Notas de aplicación (en inglés):
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