Front-Illuminated (FI) CCD camera
Un detector CCD de iluminación frontal se caracteriza por otorgar una amplia gama de posibles aplicaciones y longitudes de onda, generalmente orientada hacia configuraciones experimentales flexibles o para presupuestos acotados.
Back-Illuminated (BI) CCD camera
Con una eficiencia cuántica del 95% o más, un CCD de iluminación posterior, establece el estandar de la industria para la eficiencia de detección de señal Raman, en el rango visible. Comparado con un CCD de iluminación frontal, ofrecen el doble de eficiencia cuántica y por lo tanto son recomendados para FAST RAMAN IMAGINGR que requieren precisión y sensibilidad junto con la máxima resolución óptica. (Disponibles en versiones optimizadas para UV)
Electron-Multiplying (EM) CCD camera
Para aplicaciones Raman sofisticadas y de vanguardia, un EM-CCD proporciona las capacidades de lectura más avanzadas para la detección de nivel de luz baja o para ULTRA-FAST RAMAN IMAGING. Los tiempos de lectura pueden ser tan bajos como 760 μs por espectro (1300 espectros/s) y las señales producida por corriente oscura, tan bajas como 0,0001 electrones/pixel por segundo.
Open Electrode (OE) CCD camera
El detector CCD con electrodo abierto (OE), es una cámara de iluminación frontal que permite la detección en prácticamente el ancho de banda espectral completo, y es especialmente adecuado para mediciones en el rango UV. Para obtener relaciones de señal/ruido excelentes, cuenta con muy baja senal de corriente oscura y una funcionalidad de cámara multiusos para una gran variedad de aplicaciones.
Low Dark-Current Deep Depletion CCD camera
Mediciones espectroscópicas en Raman o fotoluminiscencia (PL), en el rango del infrarrojo cercano (NIR), requieren detectores CCD especializados para evitar que los datos espectrales se vean influenciados por "etaloning", un efecto que se produce cuando los materiales del chip de SI del detector CCD se van volviendo cada vez más transparentes a la luz, a medida que las longitudes de onda son más largas. Con la tecnología de baja senal de corriente oscura, y tecnología deep depletion proporcionada por este detector, se pueden realizar experimentos críticos de NIR y PL sin pérdida de señal.
InGaAs linear array detector
Para la dispersión de experimentos sobre la brecha energética de bandas del Si (aproximadamente 1100 nm) WITec suministra excelentes detectores de Arseniuro de indio y galio (InGaAs), que permiten la generación de imágenes espectrales en el IR (hasta 1700 nm) con un máximo de eficiencia cuánticade cercano al 90%.
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